سامسونگ قرار است نسل دهم حافظه V-NAND را با بیش از 400 لایه معرفی کند که برای تامین انرژی PCIe 5.0 و 6.0 SSD در آینده طراحی شده است.
به گزارش TechNock، سامسونگ قصد دارد به زودی نسل دهم حافظه V-NAND خود را با بیش از 400 لایه در کنفرانس ISSCC 2025 معرفی کند. بسیار سریع است و انتظار می رود به عنوان یکی از فناوری های ذخیره سازی پیشرفته در صنعت حافظه معرفی شود.
ویژگی های نسل دهم V-NAND سامسونگ
Tomshardor می نویسد نسل دهم V-NAND سامسونگ که از معماری TLC (سلول سه سطح یا سه بیت در هر سلول) استفاده می کند، ظرفیت 1 ترابایت (128 گیگابایت) در هر قالب دارد و تراکم ذخیره سازی آن به 28 گیگابایت بر میلی متر مربع می رسد. این مقدار تنها کمی کمتر از تراکم ذخیره سازی 28.5 گیگابایت بر میلی متر مربع حافظه 3D QLC V-NAND سامسونگ است که در حال حاضر به عنوان فشرده ترین حافظه غیرعملیاتی جهان شناخته می شود.
حافظه جدید سامسونگ دارای سرعت رابط 6.5 گیگابیت بر ثانیه است که بسیار سریعتر از سرعت 3.6 گیگابیت بر ثانیه حافظه YMTC با معماری Xtacking است. این سرعت چشمگیر به کاربران اجازه می دهد حتی رابط PCIe 5.0 x4 را با استفاده از چندین دستگاه حافظه اشباع کنند. به عبارت دیگر، ده دستگاه از این نوع حافظه قادر خواهند بود یک رابط PCIe 4.0 x4 را اشباع کنند و بیست دستگاه قادر خواهند بود یک رابط فوق سریع PCIe 5.0 x4 را به طور کامل بارگذاری کنند.
ظرفیت ذخیره سازی و تنظیمات مختلف
سامسونگ اعلام کرده است که تراشه های نسل بعدی NAND معمولاً دارای هشت یا شانزده قالب NAND در هر بسته خواهند بود. این بدان معناست که بسته‌های 16 درایو می‌توانند تا 2 ترابایت فضای ذخیره‌سازی را فراهم کنند و چهار مورد از این بسته‌ها در یک SSD یک طرفه، 8 ترابایت فضای ذخیره‌سازی را فراهم می‌کنند. علاوه بر این، در صورت استفاده از طراحی دوطرفه M.2 2280، می توان این ظرفیت را تا 16 ترابایت افزایش داد. شایان ذکر است که سامسونگ در سال های اخیر ترجیح داده از طراحی های یک طرفه در تولید SSD های خود استفاده کند.
نسل دهم حافظه V-NAND وارد بازار شد
در حالی که سامسونگ هنوز درایوهای حالت جامد کامل PCIe 5.0 را معرفی نکرده و تنها مدل هایی مانند PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4 990 Evo و 990 Evo Plus را عرضه کرده است، انتظار می رود که این شرکت تولید انبوه حافظه های نسل دهم V را در سال 2025 آغاز کند. NAND. هنوز مشخص نیست که چه زمانی این حافظه ها در SSD های سامسونگ قرار می گیرند. اما انتظار می رود در آینده نزدیک محصولات مختلفی مانند درایوهای USB، کارت حافظه، SSD و حتی گوشی های هوشمند از این حافظه های جدید استفاده کنند.
تاثیر این فناوری بر آینده حافظه های SSD
نسل دهم V-NAND سامسونگ با سرعت رابط قابل توجه خود می تواند عملکرد و سرعت درایوهای SSD را تا حد زیادی بهبود بخشد. در حالی که سامسونگ چشم انداز گسترده ای برای توسعه این فناوری دارد، این شرکت دقیقا اعلام نکرده است که این خاطرات جدید چه زمانی به طور رسمی وارد بازار مصرف می شوند.
با توجه به قابلیت های این فناوری و توانایی آن در پشتیبانی از PCIe 5.0 و PCIe 6.0 SSD، به نظر می رسد سامسونگ در حال آماده شدن برای معرفی نسل جدیدی از حافظه های سریع و پیشرفته است که می تواند در آینده ای نزدیک استانداردهای جدیدی را در صنعت حافظه های ذخیره سازی ایجاد کند.
در مجموع می توان گفت که نسل دهم حافظه V-NAND سامسونگ با ویژگی های فنی برجسته خود می تواند نقش مهمی در تکامل عملکرد SSD داشته باشد و موج جدیدی از پیشرفت در صنعت ذخیره سازی دیجیتال ایجاد کند. اگر این فناوری با موفقیت در محصولات مصرفی پیاده سازی شود، انتظار می رود که تأثیر قابل توجهی بر عملکرد و سرعت دستگاه های دیجیتال داشته باشد.
